[发明专利]一种分光芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610474081.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105954833A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 周东平 | 申请（专利权）人： | 上海晶鼎光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/125 | 分类号： | G02B6/125 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200082 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分光芯片，以蓝宝石或者石英为基片，所述基片的一侧设置有截次峰膜系，所述基片另一侧设置有第一反射膜，所述第一反射膜上设置有复数个通道，相邻通道之间被黑铬隔开。同时公开了该芯片的制作方法步骤(1)在基片上光刻通道和对准标记；(2)基片上镀制第一反射膜；(3)镀制中间层；(4)镀制第二反射膜；(5)基片的背面镀制截次峰膜系。本分光芯片的工作波段在900～2500nm范围内，而且尺寸还可以根据实际需要进行调整，非常方便集成和家用，大大优于目前国内外同类型微型光谱仪的光谱分辨率的性能；实现真正的微型化；可提高仪器的可靠性、稳定性、和光学效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种分光芯片，其特征在于，以蓝宝石或者石英为基片，所述基片的一侧设置有截次峰膜系，所述基片另一侧设置有第一反射膜，所述第一反射膜上设置有复数个通道，相邻通道之间被黑铬隔开，每个通道的宽度为0.01‑2mm，带宽为3.1‑5.5nm，所述黑铬的宽度为0.001‑1mm.。
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