[发明专利]集成电路、前照式传感器、背照式传感器和三维集成电路有效
| 申请号： | 201610474165.1 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298718B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 黄信耀;王俊智;杨敦年;洪丰基;王明璁;周世培 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一些实施例涉及一种三维(3D)集成电路(IC)。3DIC包括第一衬底，该第一衬底包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器。互连结构设置在第一衬底上方并且包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层。多个金属层中的一个离光源最近，并且多个金属层中的另一个离光源最远。接合焊盘凹槽从离光源最近的3DIC的表面中的开口延伸至互连结构内并且终止在接合焊盘处。接合焊盘与3DIC的表面分隔开并且与多个金属层中的离光源最远的一个直接接触。本发明的实施例还提供了集成电路、前照式传感器和背照式传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 前照式 传感器 背照式 三维集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包括：第一衬底，包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器；互连结构，位于所述第一衬底上方，并且所述互连结构包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层，其中，所述多个金属层中的一个金属层离所述光源最近，并且所述多个金属层中的另一个金属层离所述光源最远；以及接合焊盘凹槽，从所述集成电路的离所述光源最近的表面中的开口延伸至所述互连结构内并且终止在接合焊盘处，其中，所述接合焊盘与所述集成电路的所述表面间隔开并且与所述多个金属层的离所述光源最远的所述另一个金属层直接接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610474165.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
