[发明专利]一种基于SOI的二维材料电极掩模版制备方法

摘要

本发明公开了一种基于SOI的二维材料电极掩模版制备方法，本发明将标准的SOI工艺与干法刻蚀技术结合起来，能够稳定得到大批量的二维材料电极掩模版，且可以在去除金属以后反复使用，极大的扩展了使用金属作为二维材料电极的自由度。

主权项

一种基于SOI的二维材料电极掩模版制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，清洗SOI片，SOI片包括底部晶向的硅支撑层，中部的绝缘层和顶部的器件层；步骤二，在干净的SOI片的上表面和下表面生长Si₃N₄作为掩膜；步骤三，在生长掩膜的SOI片的器件层悬涂电子束光刻胶，支撑层悬涂支承层光刻胶；步骤四，对背面的支承层进行光刻，得到图形，使用干法刻蚀对支承层未被光刻胶保护的部分进行刻蚀，将图形从光刻胶转移到Si₃N₄掩膜层上；步骤五，使用湿法化学刻蚀对未被Si₃N₄保护的Si进行刻蚀，至其刻蚀到SiO₂层，刻蚀停止；步骤六，对正面的器件层进行电子束光刻，然后进行干法刻蚀，将电子束光刻的图形转移到器件层上，最终刻蚀会使设计电极的区域镂空，得到完整的硬掩膜；步骤七，使用湿法刻蚀溶液去除Si₃N₄，得到最终的硬掩模。