[发明专利]一种新型压接式二极管压接结构

摘要

本发明公开了一种新型压接式二极管压接结构。该发明中涉及的二极管为压接式二极管。压接式二极管里面封装的二极管芯片是和压接面分离的，在使用过程中，必须先对二极管施加一定的压接力，使上下压接面和二极管芯片充分接触，才能使压接式二极管正常工作。但在3000V及其以上电压等级的大功率IGBT吸收回路中，模块式二极管的管芯为两个二极管芯片串联的结构，使用时必须用电阻进行均压，这样就增加了吸收回路的复杂程度。该发明主要针对3000V及以上电压等级的大功率IGBT吸收回路而专门设计的新型压接式二极管压接结构。

主权项

一种新型压接式二极管压接结构，包括盖板(5)和缘壳壳体(2)，其特征在于：所述绝缘壳体(2)通过紧固螺钉(7)与盖板(5)进行连接；所述绝缘壳体为中心位置含有空洞的长方体，空洞处嵌入有导电铜柱(1)，导电铜柱(1)为圆柱形，圆柱形导电铜柱(1)的顶部高度大于绝缘壳体(2)的高度，圆柱形导电铜柱(1)的底部设置凸缘(10)，凸缘(10)的上表面连接碟形弹簧(4)的下表面，碟形弹簧(4)的上表面连接垫圈(3)，垫圈(3)的上端与绝缘壳体(2)的空洞内壁接触；圆柱形导电铜柱(1)的底部表面通过定位销(8)连接压接式二极管(6)；所述绝缘壳体(2)的上表面设置安装孔(9)。