[发明专利]一种铁类水滑石纳米片阵列的一步电合成方法

摘要

本发明公开了一种铁类水滑石纳米片阵列的一步电合成方法。本发明首次采用简单快速的一步电合成方法在多种导电基底上制备出了不同种类的含铁水滑石纳米片阵列，为铁类水滑石的简单快速制备提供了一种较为普适的方法。通过调控电合成时间，对水滑石纳米片的大小、疏密程度进行了很好的调控，达到性能最佳。本发明不但提供了一种全新的制备铁类水滑石纳米阵列的较为普适的方法，而且拓宽了水滑石类材料应用领域，该纳米片阵列结构材料在电解水析氧反应(OER)、超级电容器电极材料(SCs)、锂离子电池电极材料、生物传感等方面均具有相当广阔的应用前景。

主权项

一种铁类水滑石纳米片阵列的一步电合成方法，其特征在于，其具体操作步骤如下：1)配制金属硝酸盐和硫酸亚铁混合溶液作为电解质溶液，金属硝酸盐的浓度为0.1‑1mg/mL，硫酸亚铁的浓度为0.1‑1mg/mL，金属硝酸盐与硫酸亚铁的摩尔比例为(2:1)‑(1:2)；2)在步骤1)配制的电解质溶液中，以饱和甘汞电极作为参比电极，Pt为对电极，表面经过清洁处理的导电基底作为工作电极，利用恒电位法在导电基底上直接生长铁类水滑石纳米片阵列，电化学合成的电位设为(‑0.8)‑(‑1.2)V，合成时间为10‑400s，合成温度为10‑50℃。