[发明专利]以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610477822.8 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098533A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;李奎龙;何佳铸;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法，以GaN为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS2薄膜；所述生成MoS2薄膜的过程为：以硫粉和MoO3为原料、高纯氩气为载流气体，在所述衬底上沉积MoS2薄膜。本发明还提供了一种二硫化钼薄膜，采用上述所述的制备方法制成。本发明所提供的二硫化钼薄膜及其制备方法，所用的硫化钼材料与衬底材料GaN之间的结合力极强，所制得的MoS2薄膜的质量极高，可以满足电学领域和光学领域对纳米薄膜材料的质量要求。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 制备 二硫化钼 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS2薄膜；所述生成MoS2薄膜的过程为：以硫粉和MoO3为原料、高纯氩气为载流气体，在所述衬底上沉积MoS2薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610477822.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种洗衣机用水的净化回用系统
- 下一篇：一种油田用节能抽油机配电柜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
