[发明专利]一种阵列基板的制造方法及阵列基板有效
申请号: | 201610479540.1 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN105977206B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 周志超;夏慧 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种阵列基板及其制造方法,其中制造方法包括以下步骤:基板;在基板上形成缓冲层;在缓冲层内形成源极和数据线,同时在缓冲层上形成栅极和栅极线,其中缓冲层至少部分外露源极和数据线的远离基板的一侧;在源极、数据线、栅极以及栅极线上形成绝缘层,其中绝缘层至少部分外露源极和栅极线的远离基板的一侧;在源极上形成半导体层,其中半导体层与源极的外露部分电性连接且与栅极之间由绝缘层电性绝缘;在绝缘层上形成第一像素电极和第二像素电极,其中第一像素电极与半导体层的远离基板的一侧电性连接,第二像素电极与栅极线的外露部分电性连接。本发明阵列基板的制造过程高效且节能。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:基板;在所述基板上形成缓冲层;在所述缓冲层内形成源极和数据线,同时在所述缓冲层上形成栅极和栅极线,其中所述缓冲层至少部分外露所述源极和所述数据线的远离所述基板的一侧;在所述源极、所述数据线、所述栅极以及所述栅极线上形成绝缘层,其中所述绝缘层至少部分外露所述源极和所述栅极线的远离所述基板的一侧;在所述源极上形成半导体层,其中所述半导体层与所述源极的外露部分电性连接且与所述栅极之间由所述绝缘层电性绝缘;在所述绝缘层上形成第一像素电极和第二像素电极,其中所述第一像素电极与所述半导体层的远离所述基板的一侧电性连接,所述第二像素电极与所述栅极线的外露部分电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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