[发明专利]光侦测器方法及光侦测器结构

摘要

本发明揭示一种光侦测器方法及光侦测器结构。在该方法中，多晶或非晶的光吸收层形成在介电层上以使其接触光波导的单晶半导体核心。该光吸收层接着以一或多个应变缓解层密封且进行快速熔化生长(RMG)工序以结晶化该光吸收层。该(多个)应变缓解层是为了控制应变缓解而调变，以致在该RMG工序期间，该光吸收层保持免于破裂。接着移除该(多个)应变缓解层且在该光吸收层之上形成密封层(例如，填充该RMG工序期间发展的表面凹陷)。随后，通过该密封层植入掺质以形成用于(多个)PIN二极管的扩散区域。由于该密封层相对薄，可在该扩散区域内达到想要的掺质轮廓。

主权项

一种形成光侦测器的方法，该方法包括:在单晶半导体层上形成介电层；在该介电层中形成开口，该开口露出部分该单晶半导体层；在该介电层上以及在该开口内的该单晶半导体层上形成光吸收层，该光吸收层为非晶或多晶且具有熔化温度；在该光吸收层之上形成一或多个应变缓解层；进行加热工序以便加热该光吸收层至该熔化温度，接着在该加热工序之后，该光吸收层变为单晶；移除至少一个应变缓解层；在该光吸收层之上形成密封层；以及在形成该密封层之后，进行离子植入工序以便在该光吸收层中形成至少一个二极管。