[发明专利]晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法在审
| 申请号： | 201610480491.3 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106057972A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 邹帅;王栩生;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面形成多孔质层结构；(2)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构；所述第一化学腐蚀液为的氢氟酸和氧化剂的混合溶液；其中氢氟酸和氧化剂的摩尔比为1：1~5。本发明调整了HF与HNO3的比例，在扩孔以及去除金属颗粒外，生成有利于扩散吸杂的疏松多孔硅层，该疏松多孔硅层具有非常优异的吸杂性能，经过后续的高温扩散和吸杂后，可以大大降低PN结的复合，提高开路电压和电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片表面形成多孔质层结构；(2) 然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构；所述第一化学腐蚀液为的氢氟酸和氧化剂的混合溶液；其中氢氟酸和氧化剂的摩尔比为1：1~5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
