[发明专利]一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法

摘要

本发明提供了一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，该方法包括，测量绝缘子表面的实际等值盐密ρ_ESDD；根据人工污秽法绝缘子闪络试验测量绝缘子的污闪电压U，进一步根据绝缘子的形状和污秽程度以及试验测得的污闪电压拟合出经典污闪电压函数；根据经典污闪电压函数推出绝缘子在相应雾水电导率下的计算等值盐密ρ_ESDD；根据计算等值盐密ρ_ESDD和实际等值盐密ρ_ESDD推出附加盐密系数K；根据附加盐密系数K得出修正后的污闪电压函数，再进一步预测绝缘子的污闪电压。本发明引入附加盐密系数K，使原有计算公式能够反映出雾水电导率和绝缘子表面污秽对绝缘子闪络电压的共同影响作用，使计算值更加准确，更加贴近实际。

主权项

一种高导电率雾下绝缘子污闪电压的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、对绝缘子涂污并获取绝缘子表面的实际等值盐密ρ_ESDD；步骤二、根据人工污秽法绝缘子闪络试验测量绝缘子的污闪电压U；步骤三、根据绝缘子的形状和污秽程度以及试验测得的污闪电压拟合出经典污闪电压函数。$U=A\×{\mathrm{\ρ}}_{ESDD}^{-a},$其中A为与绝缘子形状和污秽程度有关的系数，a为表征ρ_ESDD对污闪电压影响的特征指数；步骤四、测量雾水电导率下的污闪电压U′，并代入$U^{\′}=A\×{\mathrm{\ρ}}_{ESDD}^{\′-a},$得到绝缘子在相应雾水电导率下的计算等值盐密ρ′_ESDD；步骤五、根据计算等值盐密ρ′_ESDD和实际等值盐密ρ_ESDD，推出附加盐密系数步骤六、计算修正后的相应雾水电导率下的污闪电压函数为：U"＝A×(K·ρ"_ESDD)^‑a，其中，ρ"_ESDD为绝缘子表面的实际等值盐密测量值。