[发明专利]一种晶圆切割方法有效
| 申请号： | 201610480927.9 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098624B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 袁伟东;崔建丽 |
| 地址： | 221300 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆切割方法，包括如下步骤：提供待切割晶圆；在所述待切割晶圆上形成目标晶圆尺寸的掩模；将所述形成掩模后的待切割晶圆固定于承载盘上；对所述形成掩模后的待切割晶圆进行干法刻蚀，去除所述待切割晶圆中未被掩模覆盖的部分；去除所述目标晶圆上的掩模；以及，从所述承载盘上取下所述目标晶圆。根据本发明可以以较低成本实现将大晶圆切割为一个或多个小晶圆，解决目前机械切割只能将晶圆按照其特有的晶格方向切割为长方形或者方形的样品，以及激光完全切割耗时长，成本高、无商业化设备等的问题。满足半导体业界研发中，一部分工艺需要在大尺寸尖端设备上完成，另一部分工艺在小尺寸设备中完成的需求，降低研发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括如下步骤：提供待切割晶圆；在所述待切割晶圆上形成目标晶圆尺寸的掩模；将所述形成掩模后的待切割晶圆固定于承载盘上；对所述形成掩模后的待切割晶圆进行干法刻蚀，去除所述待切割晶圆中未被掩模覆盖的部分；去除所述目标晶圆上的掩模；以及，从所述承载盘上取下所述目标晶圆，其中，所述干法刻蚀为等离子体刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
