[发明专利]沉积制程的参数调整方法有效

专利信息
申请号: 201610481984.9 申请日: 2016-06-27
公开(公告)号: CN107541716B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 洪世玮;陈培儂;刘旭水;林剑锋 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种沉积制程的参数调整方法,包含:接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数;至少根据几何参数与热辐射参数,建立制程模型;根据制程模型,模拟沉积制程,借此预测制程腔体中的至少一物理场;与根据物理场,调整沉积制程的至少一参数,并据此进行沉积制程。
搜索关键词: 沉积 参数 调整 方法
【主权项】:
1.一种沉积制程的参数调整方法,其特征在于,包含:接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数;至少根据该几何参数与该热辐射参数,建立一制程模型;根据该制程模型,模拟该沉积制程,借此预测该制程腔体中的一第一物理场与一第二物理场,其中模拟该沉积制程包含:将该第一物理场考虑为变数并将该第二物理场考虑为在该制程腔体中的不同位置为相同的,进行模拟,得到一非全耦合模拟结果;以及将该第二物理场考虑为变量,并代入该非全耦合模拟结果,进行模拟,借此预测该第一物理场与该第二物理场;以及根据该第一物理场以及该第二物理场,调整该沉积制程的至少一参数,并据此进行该沉积制程。
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