[发明专利]MEMS压电器件和对应的制造方法有效
申请号: | 201610482597.7 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN106915722B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | M·F·贝维拉克夸;F·F·维拉;R·斯卡尔达菲利;V·卡萨塞利;A·迪马特奥;D·法拉里 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;H01L41/04;B81C1/00;H02N2/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | 本发明涉及MEMS压电器件和对应的制造方法。一种MEMS压电器件具有:半导体材料的单片式本体,其具有第一主表面和第二主表面,这两个表面平行于由第一水平轴和第二水平轴形成的水平面并且沿着竖直轴相对;布置在单片式本体内的壳腔体;在单片式本体的第一主表面处悬置在壳腔体上方的膜;布置在膜的第一表面上方的压电材料层;布置成与压电材料层接触的电极装置;以及耦合至膜的沿着竖直轴与第一表面相对的第二表面以响应于环境机械振动引起第二表面形变的检测质量。检测质量通过布置在中心位置中并且沿着竖直轴的方向在膜与检测质量之间的连接元件耦合至膜。 | ||
搜索关键词: | mems 压电 器件 对应 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS压电器件(20),包括:半导体材料的单片式本体(21),具有第一主表面(21a)和第二主表面(21b),所述第一主表面(21a)和所述第二主表面(21b)平行于由第一水平轴(x)和第二水平轴(y)形成的水平面(xy)并且沿着竖直轴(z)彼此相对;壳腔体(22),布置在所述单片式本体(21)内;膜(23),在所述单片式本体(21)的所述第一主表面(21a)处悬置在所述壳腔体(22)上方;压电材料层(30),布置在所述膜(23)的第一表面(23a)上方;电极装置(32),布置成与所述压电材料层(30)接触;以及检测质量(24),耦合至所述膜(23)的沿着所述竖直轴(z)与所述第一表面(23a)相对的第二表面(23b)并且被设计成响应于机械振动引起所述膜(23)的形变,其中所述检测质量(24)通过连接元件(25)耦合至所述膜(23),所述连接元件(25)布置在中心位置中并且在所述竖直轴(z)的方向上在所述膜(23)与所述检测质量(24)之间,并且其中所述检测质量(24)、所述连接元件(25)和所述膜(23)由所述半导体材料形成,所述膜(23)被布置在所述壳腔体(22)的内表面与所述单片式本体(21)的所述第一主表面(21a)之间,并且所述检测质量(24)具有背表面(24b),所述背表面(24b)与所述单片式本体(21)的第二主表面(21b)设置在相同的水平。
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