[发明专利]一种IGBT功率模块芯片温度标定装置及其温度修正方法有效
申请号: | 201610482620.2 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN105928637B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 于海芳 | 申请(专利权)人: | 滨州学院 |
主分类号: | G01K15/00 | 分类号: | G01K15/00 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 张桂松 |
地址: | 256600 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及温度检测技术领域,特别涉及一种IGBT功率模块芯片温度标定装置及其温度修正方法。该新能源车用IGBT功率模块芯片温度标定装置,包括IGBT功率模块,该IGBT功率模块包括IGBT芯片,二极管芯片,NTC,散热基底;所述IGBT芯片和二极管芯片下端设有温度传感器;IGBT功率模块分别与负载、驱动器和数据采集仪相连;所述驱动器和数据采集仪分别与上位机相连;所述驱动器与电源相连。本发明将采集温度与NTC所测温度对比,基于NTC温度形成IGBT芯片和二极管芯片的温度修正曲线MAP,最终利用实时监测的NTC温度和标定的温度MAP,查表实时监测IGBT芯片和二极管芯片的工作结温,达到不消耗驱动系统计算资源的基础上,实现快速、准确、实时工作结温检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 功率 模块 芯片 温度 标定 装置 及其 修正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种IGBT功率模块芯片温度标定装置,其特征在于:包括IGBT功率模块,该IGBT功率模块包括IGBT芯片,二极管芯片和NTC热敏电阻;所述IGBT芯片,二极管芯片和NTC热敏电阻分别通过焊锡焊接固定在散热基底上;所述IGBT芯片,二极管芯片下端设有纵向贯穿散热基底的布传感器通孔;所述IGBT芯片和二极管芯片与布传感器通孔连接处分别设有温度传感器;IGBT功率模块分别与负载、驱动器和数据采集仪相连;所述驱动器和数据采集仪分别与上位机相连;所述驱动器与电源相连;IGBT功率模块芯片温度标定装置的温度修正方法包括以下步骤:(1)分别标定IGBT芯片和二极管芯片的实际温度:在相同电压,相同电流下,上位机一定控制下,通过温度传感器实时测定IGBT芯片和二极管芯片的温度,并通过数据采集仪采集温度数据,并存储在上位机内;(2)标定NTC热敏电阻的温度:采用与步骤(1)相同的电压,相同电流下,上位机一定控制下,通过数据采集仪采集NTC热敏电阻的温度,并存储在上位机内;(3)在相同的电压下,改变电流大小,重复步骤(1)和步骤(2),得到多组IGBT芯片和二极管芯片的实际温度与对应NTC热敏电阻温度的数据;(4)将步骤(1)‑(3)得到的数据绘制成一定电压下的采集IGBT芯片和二极管芯片的结温对应模块的NTC采集温度形成温度标定数据MAP;(5)改变电压并重复步骤(1)‑(4),绘制得到不同电压下的采集IGBT芯片和二极管芯片的结温对应模块的NTC采集温度形成温度标定数据MAP;(6)改变上位机的控制条件,重复步骤(1)‑(5)绘制得到不同条件下的采集IGBT芯片和二极管芯片的结温对应模块的NTC采集温度形成温度标定数据MAP。
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