[发明专利]一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法在审
申请号: | 201610483222.2 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN106129133A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 李华;钟宝申;赵科雄 | 申请(专利权)人: | 泰州乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 张弘 |
地址: | 225314 江苏省泰州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法,自上而下依次包括:减反射膜/钝化膜、正面N+掺杂层、N型硅基体、本征非晶硅层、背面交替掺杂非晶或多晶硅层和电池电极;所述的背面掺杂层由N型非晶或多晶硅层与P型非晶或多晶硅层间隔交替排列而成;细金属导线通过导电结合材料与局部接触金属电极结合形成局部悬空细栅线电极;电池背面的P型非晶或多晶硅、N型非晶或多晶硅区域的相对端各设有电极引线,用于将汇集的电流导出。本发明避免了栅线的光遮挡面积,进而提高了电池的转换效率,同时通过减少金属浆料的使用量使生产成本降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 接触 太阳能电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构,其特征在于,自上而下依次包括:正面钝化膜/减反射膜(1)、正面N+掺杂层(2)、N型硅基体(9)、本征非晶硅层(3)、背面掺杂层(4)和电池电极;其中,所述的背面掺杂层(4)由P型非晶或多晶硅层(4‑1)与N型非晶或多晶硅层(4‑2)间隔排列而成;所述的电池电极包括局部接触金属电极(7)、细金属导线(5)和电极引线(8),所述局部接触金属电极(7)包括正极局部接触金属电极(7‑1)和负极局部接触金属电极(7‑2);所述细金属导线(5)包括正极细金属导线(5‑1)和负极细金属导线(5‑2);所述电极引线(8)包括正电极引线(8‑1)和负电极引线(8‑2);正极局部接触金属电极(7‑1)分布在P型非晶或多晶硅层(4‑1)之上,并形成欧姆接触;负极局部接触金属电极(7‑2)分布在N型非晶或多晶硅层(4‑2)之上,并形成欧姆接触;正极金属导线(5‑1)通过导电结合材料(6)将正极局部接触金属电极(7‑1)连接为电池正极的局部悬空细栅线电极,并通过正电极引线(8‑1)导出电流;负极金属导线(5‑2)通过导电结合材料(6)将负极局部接触金属电极(7‑2)连接为电池负极的局部悬空细栅线电极,并通过负电极引线(8‑2)导出电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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