[发明专利]一种基板热处理传送腔室在审
申请号: | 201610485879.2 | 申请日: | 2016-06-28 |
公开(公告)号: | CN106098594A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 胡贻康 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种基板热处理传送腔室,用于对位于承载基台上的基板进行加热和传输,所述腔室中设置上、中、下三层结构,其中上层和下层均为加热层,中间层作为承载基台的基板传输层;所述腔室的两侧设有用于驱动所述承载基台传输的传动装置;所述承载基台中设有多个用于检测承载基台各个区域温度的温度检测装置;位于上层和下层的两所述加热层与一温度控制器连接,所述温度控制器与所述温度检测装置连接,用于调节所述加热层的各区域输出温度。本发明通过在热处理传送腔室中的用于基板传输的承载基台上设置了多个温度检测装置,对承载基台上的基板各区域温度情况进行实时监控,精确掌握位于腔室内部基板的热处理温度,实现了对基板的均一加热。 | ||
搜索关键词: | 一种 热处理 传送 | ||
【主权项】:
一种基板热处理传送腔室,用于对位于承载基台(1)上的基板(9)进行加热和传输,其特征在于,所述腔室中设置上、中、下三层结构,其中上层和下层均为加热层(2),中间层为作为承载基台(1)运动空间的基板传输层(3);所述腔室的两侧设有用于驱动所述承载基台(1)传输的传动装置(4);所述承载基台(1)中设有多个用于检测承载基台(1)各个区域温度的温度检测装置(5);位于上层和下层的两所述加热层(2)与一温度控制器连接,所述温度控制器与所述温度检测装置(5)连接,用于调节所述加热层(2)的各区域输出温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造