[发明专利]基于Radon-WDL变换的SMSP干扰的参数估计方法有效

专利信息
申请号: 201610486369.7 申请日: 2016-06-27
公开(公告)号: CN106443589B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 崔国龙;姬红敏;盛彪;卢金伟;张天贤;孔令讲;杨晓波;易伟 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01S7/02 分类号: G01S7/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 邹裕蓉
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明所要解决的技术问题是,提供一种基于Radon‑WDL变换的SMSP干扰的参数估计方法,将SMSP干扰在广义的时频域上进行Radon‑WDL变换;在对SMSP干扰的WDL分布进行Radon变换,将广义的时频域变换到含有角度和半径的极坐标域上,同时可以抑制掉交叉项,并根据Radon变换后尖峰个数估计得到SMSP干扰的子脉冲个数与最大尖峰所在的角度和半径;最后根据Radon变换后最大尖峰所在的角度和半径估计出SMSP干扰的载频和调频斜率。
搜索关键词: 基于 radon wdl 变换 smsp 干扰 参数估计 方法
【主权项】:
1.基于Radon‑WDL变换的SMSP干扰的参数估计方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、对SMSP干扰进行WDL分布变换:其中,JSMSP(t)为时刻t时的SMSP干扰,τ为时延,*为共轭,KA(ω,τ)为WDL的核函数,exp表示以自然对数e为底的指数函数,a,b,c,d为WDL变换的四个参数a,b,c,d,并且满足ad‑bc=1,ω为角频率,且ω=2πf,f为频率;步骤2、对SMSP干扰的WDL分布进行Radon变换:其中,WDL为SMSP干扰的WDL分布,u′,v为Radon变换(u,v)域的自变量,(u,α)为Radon变换后求得的半径和角度,δ为冲击函数;RWDL(u,α)为Radon变换后SMSP干扰的子脉冲的能量积累表示,为旋转任意角度α沿不同的半径u下的积分结果;RWDL(u,α)中的尖峰个数为SMSP干扰的子脉冲个数n;RWDL(u,α)取最大值时对应的半径和角度作为Radon变换后SMSP干扰的子脉冲的能量积累尖峰所在位置的半径u0与Radon变换后SMSP干扰的子脉冲的能量积累尖峰所在位置的角度α0;步骤3、计算Radon‑WVD变换的SMSP干扰的载频和调频斜率的估计值:其中,为WDL分布载频估计值,为WDL分布调频斜率估计值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610486369.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top