[发明专利]一种相变存储器读出电路及读出方法有效

专利信息
申请号: 201610486617.8 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN106205684B 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 雷宇;陈后鹏;李喜;宋志棠 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种相变存储器读出电路及读出方法,包括:读参考电压生成电路,产生一个可以快速区分读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流的读参考电流,并将电流信号转化为电压信号;以及,将读参考电压还原为读参考电流后与相变存储单元中读出的电流相比较的灵敏放大器。本发明同时获取读电流及读参考电流,读参考电流的瞬态值处于读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流之间。本发明在读参考电流中引入对位线寄生参数和读传输门寄生参数的匹配,在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配,消除了伪读取现象,减小了读出时间;且信号传递速度快、适用范围广、寄生参数匹配方法简单。
搜索关键词: 一种 相变 存储器 读出 电路 方法
【主权项】:
1.一种相变存储器读出电路,其特征在于,所述相变存储器读出电路至少包括:读参考电压生成电路、相变存储单元阵列,所述相变存储单元阵列包括至少一个相变存储单元模块以及与所述相变存储单元模块一一对应的灵敏放大器,所述相变存储单元模块中的各位线分别通过读传输门与所述灵敏放大器连接;所述读参考电压生成电路,用于产生读参考电压,包括:参考单元、位线寄生参数匹配模块、读传输门寄生参数匹配模块以及电压转换模块;其中,所述参考单元通过第一传输门连接至所述电压转换模块,用于提供参考电阻值;所述位线寄生参数匹配模块通过所述第一传输门连接至所述电压转换模块,用于提供位线寄生参数以匹配所述相变存储单元阵列中的位线寄生参数;所述读传输门寄生参数匹配模块连接至所述电压转换模块,用于提供读传输门寄生参数以匹配所述相变存储单元阵列中的读传输门寄生参数;所述电压转换模块根据所述参考电阻值、所述位线寄生参数匹配模块提供的位线寄生参数及所述读传输门寄生参数匹配模块提供的读传输门寄生参数,得到读参考电流,并将所述读参考电流转化为读参考电压;所述灵敏放大器连接所述读参考电压生成电路及对应的相变存储单元模块,接收所述读参考电压,用于将所述读参考电压还原为所述读参考电流,将所述读参考电流与所述相变存储单元阵列中被选中的相变存储单元中读出的电流相比较,以产生被选中的相变存储单元的读出电压信号。
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