[发明专利]一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置

摘要

本发明公开了一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置。其包括真空腔体、设置在真空腔体内的生长室和加热器，真空腔体主要由依次密封连接的上盖、侧壁、下盖组成，其特征是：真空腔体的上盖、侧壁、下盖均为不锈钢材质，并均为中空结构，所述上盖、侧壁、下盖上均分别设有冷却水进水口和冷却水回水口，生长室的外部包覆有保温隔热材料，加热器为圆筒状结构并位于保温隔热材料的外侧，加热器与生长室同轴设置，加热器为电阻加热器，真空腔体上设有与真空系统连接的抽气口和与保护气体连接的进气口。本发明采用电阻加热器进行加热，加热均匀，可以提高温度控制的精确度，并且，本发明加工容易，温场尺寸不受限制，特别适合大尺寸碳化硅单晶的生长。

主权项

1.一种PVT法大直径碳化硅单晶生长装置，包括真空腔体、设置在所述真空腔体内的生长室（6）和加热器（4），所述真空腔体由依次密封连接的上盖（1）、侧壁（2）、下盖（3）组成，其特征是：所述真空腔体的上盖（1）、侧壁（2）、下盖（3）均为不锈钢材质，并均为中空结构，所述上盖（1）、侧壁（2）、下盖（3）上均分别设有与其内部空腔相通的冷却水进水口和冷却水回水口，所述上盖（1）、侧壁（2）、下盖（3）均通冷却水进行冷却，所述生长室（6）的外部包覆有保温隔热材料，所述加热器（4）为圆筒状结构并位于保温隔热材料的外侧，所述加热器（4）与所述生长室（6）同轴设置，所述加热器（4）为电阻加热器，所述真空腔体上设有与真空系统连接的抽气口（8）和与保护气体连接的进气口（10）；所述加热器（4）与生长室（6）的直径比为：1.1:1‑5:1；所述保温隔热材料在生长室（6）的下部延伸至真空腔体的下盖（3）处；所述保温隔热材料是由呈圆筒形的多层保温层构成，并且各保温层之间同轴设置，位于生长室下部的保温隔热材料采用保温性能好于位于生长室上部的保温隔热材料的保温性能的材料，且在位于生长室上部的保温隔热材料中心开有贯穿至生长室（6）上表面的孔（17），所述孔（17）的直径为：20‑80mm。