[发明专利]硅基氮化镓LED外延结构的制造方法有效
| 申请号： | 201610487972.7 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105914270B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基氮化镓LED外延结构的制造方法，所述制造方法包括：S1、以N2和Al为原料在硅衬底上制备AlN薄膜，利用磁控溅射产生的等离子体将氩原子离化为氩离子，轰击铝靶材将铝原子溅射出，铝原子向硅衬底迁移并与氮原子结合形成非晶的AlN薄膜；S2、升温对AlN薄膜在MOCVD腔体中进行热退火，热退火气氛为氮气、氢气、氨气的混合气体，使得非晶的AlN薄膜形成AlN纳米晶核结构的AlN缓冲层；S3、在AlN缓冲层上外延生长插入层；S4、在插入层上外延生长n型GaN层、量子阱发光层、及p型GaN层。本发明提升了磁控溅射沉积的AlN薄膜的质量，降低了因磊晶膜晶格不匹配所形成的应力与缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 led 外延 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基氮化镓LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：S1、以N2和Al为原料在硅衬底上制备AlN薄膜，利用磁控溅射产生的等离子体将氩原子离化为氩离子，轰击铝靶材将铝原子溅射出，铝原子向硅衬底迁移并与氮原子结合形成非晶的AlN薄膜；S2、升温对AlN薄膜在MOCVD腔体中进行热退火，热退火气氛为氮气、氢气、氨气的混合气体，使得非晶的AlN薄膜形成AlN纳米晶核结构的AlN缓冲层；S3、在AlN缓冲层上外延生长插入层；S4、在插入层上外延生长n型GaN层、量子阱发光层、及p型GaN层。
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