[发明专利]监测等离子体工艺制程的装置和方法有效
| 申请号： | 201610487977.X | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546141B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张洁;黄智林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置及方法，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号；一光谱仪，以第二脉冲频率采集所述反应腔内发出的光信号；所述第二脉冲频率大于等于所述第一脉冲频率的2倍，使得所述光谱仪在一个入射脉冲光信号周期内采集至少两组光信号；一数据处理装置，与所述光谱仪相连，用于对所述光谱仪采集到的光信号进行运算，以消除反应腔内等离子体产生的背景光信号对反射光信号的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 等离子体 工艺 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种监测工艺制程的等离子体处理装置，包括一处理基片的反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，其特征在于，所述监测装置包括：一入射光源，以第一脉冲频率向反应腔内的基片表面发射入射脉冲光；一光谱仪，以第二脉冲频率采集所述反应腔内发出的光信号；所述第二脉冲频率大于等于所述第一脉冲频率的2倍，使得所述光谱仪在一个入射脉冲光信号周期内采集至少两组光信号，其中一组光信号包括入射光在基片表面的反射光信号与反应腔内等离子体产生的背景光信号之和，一组光信号只有反应腔内等离子体产生的背景光信号；一数据处理装置，用于对所述光谱仪采集到的光信号进行运算，以消除反应腔内等离子体产生的背景光信号对反射光信号的影响；所述数据处理装置用消除背景光信号影响后的反射光信号作为计算依据，得到所述基片的处理终点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
