[发明专利]一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法在审
| 申请号： | 201610488212.8 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106119972A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘京明;刘彤;董志远;赵有文 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;何戈涛 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法,包括：步骤1）GaSb单晶片进行抛光，抛光后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤2）将GaSb单晶片依次在无水乙醇、石油醚、异丙醇有机溶剂中进行超声清洗，在每种试剂中清洗时间为10～15分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤3）将GaSb单晶片浸入盐酸和异丙醇按体积比1:4进行混合的溶液中，进行超声清洗5～10分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤4）将GaSb单晶片取出，在氮气或惰性气体的环境下吹干，并装盒密封。本发明通过改进工艺，通过在超净环境下对晶片进行加工，并采用化学清洗与氮气封装工艺可有效去除GaSb单晶表面残留杂质和颗粒，控制颗粒度在100/cm2以下，大大提高GaSb单晶衬底表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 gasb 衬底 表面 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法,其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1）GaSb单晶片进行抛光，抛光后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤2）将GaSb单晶片依次在无水乙醇、石油醚、异丙醇有机溶剂中进行超声清洗，在每种试剂中清洗时间为10～15分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤3）将GaSb单晶片浸入盐酸和异丙醇按体积比1:4进行混合的溶液中，进行超声清洗5～10分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤4）将GaSb单晶片取出，在氮气或惰性气体的环境下吹干，并装盒密封。
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