[发明专利]一种多晶硅样芯的制备方法在审
| 申请号： | 201610488354.4 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106113296A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 孙绍武;刘六珠 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK光伏硅科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/02 | 分类号： | B28D5/02;B28D5/04;B28D7/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅样芯的制备方法，包括以下步骤：(1)取多晶硅样棒，选择其表面无裂纹横穿或裂纹较少点作为套料下刀处，设定套料刀行程来套取样芯，其中，控制所述套料刀运行至接近所述硅样棒的底部时停止进刀，退刀，获得表面固定有样芯的硅样棒；(2)横截与样芯接触的硅样棒的底部，得到多晶硅样芯。所述多晶硅样芯的制备方法，成功率较高，扩大了套取样芯的原料选取范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅样芯 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅样芯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取多晶硅样棒，选择其表面无裂纹横穿或裂纹较少点作为套料下刀处，设定套料刀行程来套取样芯，其中，控制所述套料刀运行至接近所述硅样棒的底部时停止进刀，退刀，获得底部固定有样芯的硅样棒；(2)横截上述硅样棒的底部使所述样芯从硅样棒上脱离，停止切割，得到多晶硅样芯。
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