[发明专利]一种窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的制备方法

摘要

本发明属功能材料制备技术领域，涉及一种窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的制备方法，向草酸水溶液中滴加氯化亚锡的甲醇溶液，在恒温并且搅拌的条件下反应直到前驱物沉淀生成，过滤、水洗、干燥，然后在马弗炉进行热处理即获得窄带隙二氧化锡半导体纳米材料。本发明工艺简便易行，纯度高，杂质含量低，产品制备成本低，性能优异，可以工业化批量生产。本发明制备的目的产物窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的禁带宽度为2.4～2.6 eV，具有良好的导电、隔热、透明，以及光催化等性能。

主权项

一种窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，在恒温30℃并且搅拌速度为100转/分钟的条件下，把氯化亚锡的甲醇液滴加到草酸水溶液中；氯化亚锡甲醇液的摩尔浓度为0.5mol/L，草酸的摩尔浓度为0.5mol/L；氯化亚锡和草酸的摩尔比为1：50；滴加氯化亚锡甲醇溶液的速度为180滴/分钟,搅拌反应时间为10分钟，反应结束后，过滤水洗后干燥，干燥时间为3小时，干燥温度为80℃，升温速率为10℃/分钟；接续在马弗炉中进行煅烧，煅烧温度为500℃，煅烧时间为5h，升温速率为10℃/分钟；自然冷却后，即得到目的产物；产品粒径40nm左右，禁带宽度为2.4eV；其产品的收率为99.6%；产品纯度为99.8%；杂质含量：碳小于0.2%，在光催化评价催化活性的试验中，60分钟的降解率为97.0%。