[发明专利]一种GaAs基发光二极管芯片及其切割方法在审
| 申请号： | 201610489614.X | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105957937A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;汤福国;王建华;闫宝华;陈康;刘琦;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/30;H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种GaAs基发光二极管芯片及其切割方法，包括：1)制备GaAs基外延片的P电极和N电极；2)对步骤1)制备的GaAs基外延片进行N面切割，形成切割道，所述切割道周期与P电极周期一致，且所述切割道与所述P电极的外围边缘重合；所述N面是指所述GaAs基外延片具有N电极的背面；所述P面是指所述GaAs基外延片具有P电极的正面；3)将GaAs基外延片按照切割道劈裂：GaAs基外延片N面朝下、P面朝上放置于劈裂机劈裂。本发明通过先N面切割再采用劈裂的方法将GaAs基发光二极管芯片分割开，减少了P面出光面的损耗，大大增加了出光面积，提升了芯片的品质，提升了产品的合格率，并能进行规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 发光二极管 芯片 及其 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括P电极、N电极、GaAs衬底和在所述GaAs衬底上的外延层；所述GaAs衬底的横截面呈倒梯形。在所述外延层上设置有P电极，在所述GaAs衬底的背面设置有N电极。
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