[发明专利]一种硅片ALD镀膜方法和装置

摘要

本发明公开了一种硅片ALD镀膜方法以及镀膜装置，其中，方法，包括以下步骤：步骤1，对硅片进行第一次镀膜，所述第一次镀膜的镀膜厚度为x；步骤2，将所述硅片水平转动90°；步骤3，对所述硅片进行第二次镀膜。所述第二次镀膜的镀膜厚度为h‑x；其中，h为对所述硅片的预定镀膜的镀膜厚度，0<x<h。所述硅片ALD镀膜方法以及镀膜装置，通过对硅片进行两次镀膜，并且在第一次镀膜和第二次镀膜之间将硅片水平转动90°，这样使得第一次镀膜时的硅片上下边缘处的未镀膜区在第二次镀膜时能够被正常镀膜，增大了硅片上的镀膜区域，提高了硅片的镀膜效果。

主权项

一种硅片ALD镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，对硅片进行第一次镀膜，所述第一次镀膜的镀膜厚度为x；步骤2，将所述硅片水平转动90°；步骤3，对所述硅片进行第二次镀膜。所述第二次镀膜的镀膜厚度为h‑x；其中，h为对所述硅片的预定镀膜的镀膜厚度，0<x<h。