[发明专利]一种晶圆薄化制备工艺有效
| 申请号： | 201610489993.2 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546104B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨士庆;黄建雄;邹朝琮;林政谚 | 申请（专利权）人： | 昇阳国际半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆薄化制备工艺，属于半导体技术领域，其步骤包括：S1研磨晶圆，研磨晶圆的一面，使该晶圆被研磨至第一预定厚度；S2蚀刻晶圆，对具有该第一厚度的晶圆的被研磨面进行蚀刻，以使该晶圆被蚀刻至一第二预定厚度；S3去除晶圆外周部，对具有第二预定厚度的晶圆，去除晶圆外周部分。本发明通过对晶圆进行单次研磨蚀刻，从而有效减少了晶圆薄化过程中所产生的内应力，减少了破片率，增加了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆薄化 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶圆薄化制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：S1研磨晶圆，研磨晶圆的一面至第一预定厚度；S2蚀刻晶圆，蚀刻具有该第一预定厚度的晶圆的被研磨面至第二预定厚度；S3去除晶圆外周部，对具有第二预定厚度的晶圆，去除晶圆外周部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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