[发明专利]一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201610490142.X | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN106098844A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 程树英;董丽美;赖云锋;龙博;贾宏杰;周海芳 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫的铝电极的制备方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片,然后用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜,最后依次使用化学水浴法、溅射法、蒸发法制备缓冲层、窗口层、电极。采用柔性钼作为电池的背电极,减低薄膜太阳能电池及其器件的制造成本;采用环境友好型的CZTS作为电池的吸收层,绿色环保,热膨胀系数与钼箔基底相匹配;且CZTS制备工艺简单,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 柔性 衬底 铜锌锡硫 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)对钼箔进行清洁处理,即将钼箔在浓硫酸和甲醇的混合溶液中采用电沉积法进行清洗,然后用去离子水冲干净并用氮气吹干;(2)利用溶胶凝胶法在钼箔上制备金属预制层薄膜,其后进行硫化,得到铜锌锡硫薄膜;(3)采用化学水浴法在(2)所得铜锌锡硫薄膜表面沉积CdS薄膜,作为缓冲层,其中CdS薄膜厚度为50~70nm;(4)采用溅射法在(3)所得的缓冲层上沉积i‑ZnO薄膜;(5)采用溅射法在(4)所得的i‑ZnO薄膜上沉积AZO窗口层;(6)在(5)所得的AZO上覆盖掩膜版,采用真空热蒸发法沉积金属铝电极,即得所述铜锌锡硫太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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