[发明专利]一种异质结阵列基紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种异质结阵列基紫外探测器及其制备方法，所述探测器包括基底、导电薄膜，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的Sm2O3@ZnO异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极；所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列为ZnO纳米管阵列和填充于ZnO纳米管内的Sm2O3纳米线构成。由于本发明的核心结构为由ZnO纳米管阵列和贯穿ZnO纳米管的Sm2O3纳米线构成的异质结阵列，可以充分提高光生载流子的利用率，具有外量子效率和灵敏度高、体积小巧等诸多优点。

主权项

一种异质结阵列基紫外探测器，包括基底(1)、导电薄膜(2)，所述的导电薄膜(2)位于基底(1)上；所述的基底(1)是玻璃基底(1)、金属基底(1)或硅基底(1)，其特征在于：所述的导电薄膜(2)上有作为紫外光吸收层的Sm2O3@ZnO异质结阵列(3)和至少一个N型欧姆电极(5)，所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列(3)上有至少一个P型欧姆电极(4)；所述的Sm2O3@ZnO异质结阵列(3)为ZnO纳米管(301)阵列和填充于ZnO纳米管(301)内的Sm2O3纳米线(302)构成，所述的ZnO纳米管(301)阵列由生长方向垂直于导电薄膜(2)的ZnO纳米管(301)平行排列构成，所述的每一根ZnO纳米管(301)内均生长有一根Sm2O3纳米线(302)。