[发明专利]一种利用ZnO缓冲层制备择优取向ITO光电薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610490384.9 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105957924A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杜文汉;杨景景;刘珂琴;张燕;赵宇;熊超;肖进 | 申请（专利权）人： | 常州工学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高桂珍 |
| 地址： | 213022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用ZnO缓冲层制备择优取向ITO光电薄膜的方法，其步骤包括清洗衬底；制备ZnO缓冲薄膜；制备(222)择优取向的ITO薄膜。本发明采用磁控溅射技术制备的ITO透明导电薄膜为单相多晶结构，主要包括(211)(222)(400)(440)(622)等晶粒结构，本发明通过增加一层ZnO缓冲层材料，可制备出具有(222)择优取向的ITO透明导电薄膜，从而提高ITO透明导电薄膜的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 zno 缓冲 制备 择优取向 ito 光电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用ZnO缓冲层制备择优取向ITO光电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：清洗衬底；步骤2：制备ZnO缓冲薄膜；步骤3：制备(222)择优取向的ITO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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