[发明专利]一种真空蒸馏多级冷凝提纯粗铟的方法有效
| 申请号： | 201610490432.4 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106119561B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;邓勇;张丁川;熊恒;戴卫平;陈威;陈浩;徐宝强;刘大春;郁青春;王飞;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学;昆明鼎邦科技有限公司 |
| 主分类号： | C22B9/02 | 分类号： | C22B9/02;C22B9/04;C22B58/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空蒸馏多级冷凝提纯粗铟的方法，属于提铟技术领域。将粗铟粉碎成小块粗铟，将小块粗铟顶部放置冷凝装置，控制真空度为10～20Pa，然后以速率为5~10℃/min从25℃升温至400℃，以速率为5~10℃/min从400℃升温至1100℃，以速率为1~5℃/min从1100℃升温至1350～1450℃，在温度为1350～1450℃条件下一次蒸馏20～60min，蒸馏结束后温度降至150℃以下，中间层的冷凝装置上冷凝有高纯铟。该方法特点是由于金属冷凝温度的不同，通过多级冷凝使得杂质金属与铟分别冷凝在不同的盘里，从而达到除去粗铟中的杂质元素，提纯金属铟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 蒸馏 多级 冷凝 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种真空蒸馏多级冷凝提纯粗铟的方法，其特征在于具体步骤如下：将粗铟粉碎成小块粗铟，将小块粗铟顶部放置冷凝装置，控制真空度为10～20Pa，然后以速率为5~10℃/min从25℃升温至400℃，以速率为5~10℃/min从400℃升温至1100℃，以速率为1~5℃/min从1100℃升温至1350～1450℃，在温度为1350～1450℃条件下一次蒸馏20～60min，蒸馏结束后温度降至150℃以下，中间层的冷凝装置上冷凝有高纯铟；所述冷凝装置为十一级冷凝盘，第一级冷凝盘为分馏盘，冷凝面为斜面，2～11级冷凝盘为平面，各级冷凝盘蒸气通道开口交互叠放，金属蒸气在冷凝盘内以“S”型向上运动。
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