[发明专利]FBAR谐振器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种FBAR谐振器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的FBAR，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的FBAR谐振频率主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度影响，其谐振频率随温度的升高而减小，并且呈现明显的单调性，该特性可用作温度、气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该FBAR体积小，成本低，响应时间短。

主权项

一种FBAR谐振器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1）、选取单晶硅衬底，采用各向异性反应离子刻蚀工艺在单晶硅衬底上刻蚀深度为5‑10μm的浅槽；步骤2）、在对单晶硅衬底浅槽侧壁进行保护的同时，对单晶硅衬底进行各向同性腐蚀，为接下来的外延单晶硅封腔工艺做准备；步骤3）、外延单晶硅封腔：外延生长单晶硅，使单晶硅衬底内部形成密封的腔体；步骤4）、在单晶硅衬底上表面依次生长二氧化硅和氮化硅，并光刻、腐蚀形成接触孔；步骤5）、在氮化硅表面溅射第一层金属，光刻、腐蚀形成焊盘、电互连线以及FBAR下电极；步骤6）、在氮化硅和第一层金属上溅射压电材料，光刻、腐蚀形成FBAR压电材料结构；步骤7）、在氮化硅和压电材料上溅射第二层金属，光刻、腐蚀形成焊盘、电互连线以及FBAR上电极。