[发明专利]一种高结晶度铜锌锡硫薄膜的制备方法在审
申请号: | 201610492218.2 | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN106098845A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 郭舒洋;张明;王统军 | 申请(专利权)人: | 郭舒洋 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高结晶度铜锌锡硫薄膜的制备方法,属于薄膜制备技术领域。本发明将制得的铜锌锡硫颗粒分别用无水乙醇和去离子水清洗后,加入有机混合液混合后球磨得铜锌锡硫浆料,涂布于ITO导电玻璃片上,得铜锌锡硫薄膜后将薄膜进行干燥,并退火处理,从而得到高结晶度铜锌锡硫薄膜的制备方法。该方法将铜锌锡硫颗粒和椰油酸二乙醇酰胺表面活性剂混合,可以提高铜锌锡硫颗粒的表面活性,以利于后续结晶形成,再通过不同温度分级退火,阻止锡元素流失,促进晶体的逐渐生成,制得的铜锌锡硫薄膜晶粒大、致密度较高且结晶质量极好,有效提高光伏薄膜电池的太阳能吸收率和光电转换效率,具有大规模生产的潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 结晶度 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高结晶度铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于具体制备步骤为:(1)按摩尔比2∶1∶1∶4分别选取0.5mmol醋酸铜,0.25mmol乙酸锌,0.25mmol四氯化锡和1.25mmol硫脲加入到烧杯中,向烧杯中加入6~8mL乙醇胺和30~50mL甲醇,搅拌混合至固体完全溶解,将溶液装入不锈钢高压反应釜中,在220~240℃温度下反应12~18h,反应结束后冷却至室温,将反应产物离心分离得黑色沉淀物,放入烘箱中烘干后放入球磨机中研磨、过筛得320~340目铜锌锡硫颗粒;(2)将上述铜锌锡硫颗粒分别用无水乙醇和去离子水超声清洗5~10min,清洗后将铜锌锡硫颗粒按质量比1:4与有机混合液混合,将混合物加入球磨机中进行球磨3~5h,球磨后即可得到铜锌锡硫浆料,备用;所述的有机混合液是乙二醇和椰油酸二乙醇酰胺按体积比10:1混合;(3)选用ITO透明导电玻璃作为衬底,将透明导电玻璃放入烧杯中,先加入去离子水用超声波超声清洗8~15min,清洗后取出再放入质量分数10%盐酸溶液中超声清洗5~10min,将盐酸溶液分别替换成丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗8~10min,清洗后取出玻璃放入45~55℃的烘箱中干燥;(4)将步骤(2)备用的铜锌锡硫浆料均匀涂布在上述干燥后的ITO导电玻璃片上,均匀涂布6~8次后,得到均匀无裂的铜锌锡硫薄膜,将薄膜在50~60℃下干燥5~6h,将干燥后的薄膜以升温速率为10~15℃/min依次升温至300~330℃、450~470℃、520~550℃,分级进行退火处理20~30min,即可得到高结晶度铜锌锡硫薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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