[发明专利]光场辅助Ag掺杂ZnO强发射性能带有纳米叶的薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610493441.9 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106086803A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 姚成宝;杨守斌;励强华;张可心;文杏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光场辅助Ag掺杂ZnO强发射性能带有纳米叶的薄膜材料及其制备方法。本发明涉及一种光场辅助Ag掺杂ZnO强发射性能带有纳米叶的薄膜材料及其制备方法。本制备方法包括步骤一：选择石英衬底；步骤二：将石英衬底超声清洗10~20分钟；步骤三：将超声清洗后的石英衬底气吹干；步骤四：将氧化锌ZnO绑定在铜背板上，组成ZnO靶；步骤五：将ZnO靶与石英衬底均置于射频磁控溅射仪的射频溅射射源内；步骤六：在射频磁控溅射仪的直流溅射射源内装入银Ag靶；步骤七：将射频磁控溅射仪抽真空；步骤八：将抽真空后的射频磁控溅射仪运行30~60分钟；步骤九：将运行30~60分钟的射频磁控溅射仪关闭，并取出制备完成的Ag掺杂ZnO的薄膜。本发明用于光场辅助Ag掺杂ZnO强发射性能带有纳米叶的薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 ag 掺杂 zno 发射 性能 带有 纳米 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光场辅助Ag掺杂ZnO强发射性能带有纳米叶的薄膜材料及其制备方法，其特征是：本制备方法包括步骤一：选择石英衬底；步骤二：将石英衬底超声清洗10~20分钟；步骤三：将超声清洗后的石英衬底气吹干；步骤四：将氧化锌ZnO绑定在铜背板上，组成ZnO靶；步骤五：将ZnO靶与石英衬底均置于射频磁控溅射仪的射频溅射射源内；步骤六：在射频磁控溅射仪的直流溅射射源内装入银Ag靶；步骤七：将射频磁控溅射仪抽真空；步骤八：将抽真空后的射频磁控溅射仪运行30~60分钟；步骤九：将运行30~60分钟的射频磁控溅射仪关闭，并取出制备完成的Ag掺杂ZnO的薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨师范大学，未经哈尔滨师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610493441.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
