[发明专利]锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法在审
| 申请号： | 201610495202.7 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105951170A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 | 申请（专利权）人： | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/08 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 张亦凡 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。 | ||
| 搜索关键词： | 锗单晶 生长 基于 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
锗单晶生长炉，垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体(1)，炉体(1)侧壁自下而上设置若干个加热电极(2)，沿炉体(1)内侧设置环形的保温材料；沿炉体(1)中轴底部设置支撑系统(3)，支撑系统(3)上架设石英异型管(4)，石英异型管(4)内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管(4)上方覆盖石英棉。
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