[发明专利]一种芯片ESD防护电路在审
申请号: | 201610495783.4 | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN106099883A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 张文伟 | 申请(专利权)人: | 苏州森特克测控技术有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H9/04 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;段晓玲 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种芯片ESD防护电路,防护电路包括一钳位电路,所述钳位电路包括:连接在芯片输出口与VSS之间的PMOS管与第一电阻R1,连接在VDD与VSS之间的电容、与电容并联的第三电阻R3以及连接在VDD与VSS之间的第二电阻R2和NMOS管;PMOS管的源极与芯片输出口相连,PMOS管的漏极与第一电阻R1相连,PMOS管的栅极连接在第二电阻R2与NMOS管的漏极之间;第二电阻R2的一端与VDD相连,另一端与NMOS管的漏极相连,NMOS管的栅极连接在PMOS管的漏极与第一电租R1之间,NMOS管的源极与VSS相连。通过本发明实施例,在Vdd和芯片输出口以及VSS之间设置钳位电路,能够显著提高ESD的防护等级。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 esd 防护 电路 | ||
【主权项】:
一种芯片ESD防护电路,其特征在于,所述防护电路包括一钳位电路,所述钳位电路包括:连接在芯片输出口与VSS之间的PMOS管与第一电阻R1,连接在VDD与所述VSS之间的电容、与电容并联的第三电阻R3以及连接在所述VDD与所述VSS之间的第二电阻R2和NMOS管;所述PMOS管的源极与所述芯片输出口相连,所述PMOS管的漏极与所述第一电阻R1相连,所述PMOS管的栅极连接在所述第二电阻R2与所述NMOS管的漏极之间;所述第二电阻R2的一端与所述VDD相连,另一端与所述NMOS管的漏极相连,所述NMOS管的栅极连接在所述PMOS管的漏极与第一电租R1之间,所述NMOS管的源极与所述VSS相连。
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