[发明专利]L10-MnGa或L10-MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法

摘要

一种L10‑MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器，包括：一基片，为后续生长的多层膜提供外延基础；一平滑层，其制作在基片上，提供良好的界面平整度和晶格匹配；一参考磁性层，其制作在平滑层上，拥有高晶体质量；一中间层，其制作在参考磁性层上；一探测磁性层，其制作在中间层上，外延生长；一覆盖层，其制作在探测磁性层上，起到保护薄膜的作用。本发明提供一种工艺简单、低成本、宽线性响应范围和高灵敏度的磁敏传感器。

主权项

1.一种L10‑MnGa或L10‑MnAl基宽线性响应磁敏传感器，包括：一基片，为后续生长的多层膜提供外延基础；一平滑层，其制作在基片上，提供良好的界面平整度和晶格匹配；一参考磁性层，其制作在平滑层上，拥有高晶体质量；一中间层，其制作在参考磁性层上；一探测磁性层，其制作在中间层上，外延生长；一覆盖层，其制作在探测磁性层上，起到保护薄膜的作用；其中所述参考磁性层的材料为基于L10‑MnGa或L10‑MnAl的铁磁金属，包括L10‑MnGa、L10‑MnAl、L10‑MnGa/FM和L10‑MnAl/FM，所述FM进一步包括Fe、Co、CoFe、Co2MnSi或Co2FeAl，且在零场下，参考磁性层的磁矩垂直于传感器多层膜的膜面，并与探测磁性层磁矩相互垂直，中间层为非磁金属或非磁绝缘层，其材料为Al2O3、MgO、Cu或Al，厚度为1‑3nm。