[发明专利]一种用于非制冷红外探测器参考像元及其制造方法

摘要

本发明涉及一种非制冷红外探测器参考像元及其制造方法。在ASIC电路上设置的金属反射层，以及在所述金属反射层上依次为绝缘介质层、牺牲层、支撑层、热敏薄膜、介质保护层、电极金属层、金属填充图形、遮光层、保护结构和钝化层介质；所述牺牲层上设有桥墩孔；所述桥墩孔内设有通孔；所述介质保护层中设有接触孔。本发明完成了参考像元的特殊结构，同时因参考像元大面积的被覆盖了一层金属层，提高了参考像元阵列的热导，极大的消除了芯片环境的热辐射干扰因素，提高非制冷红外探测器的器件性能。

主权项

一种非制冷红外探测器参考像元的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.在ASIC电路(1)上依次沉积金属反射层(2)、绝缘介质层(3)和旋涂牺牲层(4)，并在所述牺牲层(4)上蚀刻贯穿所述牺牲层(4)的桥墩孔(5)；步骤2.在所述牺牲层(4)上依次沉积支撑层(6)、热敏薄膜(7)和介质保护层(8)；步骤3.在所述桥墩孔(5)内制备通孔(9)，所述通孔(9)位于所述金属反射层(2)之上，并在所述介质保护层(8)上制备接触孔(10)；步骤4.在所述介质保护层(8)上依次沉积电极金属层(11)和填充金属层(12)；步骤5.对填充金属层(12)层进行图形化，并完成对电极金属层(11)的蚀刻，形成位于所述桥墩孔(9)内的金属填充图形(13)、位于所述电极金属层(11)之上的遮光层(14)以及位于器件边缘由预设厚度填充金属层(12)和电极金属层(11)形成的保护结构(15)；步骤6.对金属填充图形(13)和遮光层(14)的电学连接进行隔离；步骤7.在步骤6完成的器件表面沉积钝化层(16)。