[发明专利]集成电路结构及其电性连接方法有效
| 申请号： | 201610497093.2 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106328652B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | B·A·安德松;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路结构及其电性连接方法，其实施例提供集成电路(integrated circuit；IC)结构以及电性连接多个IC结构的方法。依据本发明的实施例的一种IC结构可包括：第一导电区；与该第一导电区横向隔开的第二导电区；形成于该第一导电区上方并与其接触的第一垂直取向半导体鳍片；形成于该第二导电区上方并与其接触的第二垂直取向半导体鳍片；以及与各该第一垂直取向半导体鳍片及该第二导电区接触的第一栅极，其中，该第一栅极包括：与该第一垂直取向半导体鳍片接触的基本水平的部分，以及与该第二导电区接触的基本垂直的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 连接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)结构，包括：第一导电区；第二导电区，与该第一导电区横向隔开；第一垂直取向半导体鳍片，形成于该第一导电区上方并与其接触；第二垂直取向半导体鳍片，形成于该第二导电区上方并与其接触；第一栅极，与各该第一垂直取向半导体鳍片及该第二导电区接触，其中，该第一栅极包括：基本水平的部分，与该第一垂直取向半导体鳍片接触，及基本垂直的部分，与该第二导电区接触；以及第二栅极，与各该第二垂直取向半导体鳍片及该第一导电区接触，其中，该第二栅极包括：基本水平的部分，与该第二垂直取向半导体鳍片接触，以及基本垂直的部分，与该第一导电区接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610497093.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件和电子装置
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
