[发明专利]一种磁性隧道结钽掩模的制备方法有效
| 申请号： | 201610497215.8 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107546323B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性隧道结钽掩模的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积形成钽掩模膜层和硅化物种子层；将磁性隧道结图案图形化转移到硅化物种子层的顶部；采用反应离子束刻蚀硅化物种子层和部分钽掩模膜层；进行选择性刻蚀，在没有硅化物种子层覆盖的钽掩模膜层进行刻蚀，在硅化物种子层再次沉积一层硅化物膜层；除去硅化物膜层和大部分硅化物种子层，同时并对钽掩模膜层进行修剪。本发明提供的磁性隧道结钽掩模的制备方法，通过使用进行选择性刻蚀，从根本上解决了钽掩模在图形化转移过程中，钽掩模的提前被过度消耗等问题，降低了MRAM电路短路的风险，特别适合于制作65nm及其以下的MRAM电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 结钽掩模 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结钽掩模的制备方法，其特征在于，所述磁性隧道结钽掩模的制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上依次沉积形成钽掩模膜层和硅化物种子层；(2)将磁性隧道结图案图形化转移到所述硅化物种子层的顶部；(3)采用反应离子束刻蚀所述硅化物种子层和部分所述钽掩模膜层；(4)采用N2/H2除去残留的有机物；(5)进行选择性刻蚀，在没有所述硅化物种子层覆盖的钽掩模膜层进行刻蚀，在所述硅化物种子层再次沉积一层硅化物膜层；(6)除去所述硅化物膜层和大部分所述硅化物种子层，同时并对所述钽掩模膜层进行修剪。
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