[发明专利]一种磁性随机存储器顶电极及其形成方法有效
| 申请号： | 201610497227.0 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107546321B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性随机存储器顶电极的形成方法，包括如下步骤：步骤S1：提供表面抛光的包括底电极、第一电介质层、磁性隧道结单元、钽电极和第二电介质层的衬底；步骤S2：在所述衬底上依次形成顶电极连接孔刻蚀阻挡层和第三电介质层；步骤S3：刻蚀形成顶电极连接孔；步骤S4：在顶电极连接孔内壁和第三电介质表面形成扩散阻止层；步骤S5：采用钨、铝或者钌填充顶电极连接孔，并在顶电极连接孔和第三电介质之上形成顶电极导电层；步骤S6：图形化定义顶电极图案；步骤S7：对顶电极导电层进行刻蚀，直到相邻记忆单元之间的顶电极导电层被全部刻蚀掉并部分刻蚀第三电介质层；步骤S8：采用灰化工艺除去残留的有机物。本发明提供的形成方法，只需要一次沉积，降低了工艺的复杂程度和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 电极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性随机存储器顶电极的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供表面抛光的包括底电极、第一电介质层、磁性隧道结单元、钽电极和第二电介质层的衬底；步骤S2：在所述衬底上依次形成顶电极连接孔刻蚀阻挡层和第三电介质层；步骤S3：刻蚀形成顶电极连接孔；步骤S4：在顶电极连接孔内壁和第三电介质表面形成扩散阻止层；步骤S5：采用钨、铝或者钌填充顶电极连接孔，并在顶电极连接孔和第三电介质之上形成顶电极导电层；步骤S6：图形化定义顶电极图案；步骤S7：对顶电极导电层进行刻蚀，直到相邻记忆单元之间的顶电极导电层被全部刻蚀掉并部分刻蚀第三电介质层；步骤S8：采用灰化工艺除去残留的有机物。
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