[发明专利]二极管用外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610497417.2 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106098794A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王东盛;朱廷刚;李亦衡;张葶葶;王科;李仕强;张子瑜 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;徐伟华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的SiNx帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的二极管终端器件的反向击穿电压和正向导通电流得到了显著提高、漏电降低，通过设置SiNx帽层，有效防止了器件表面被氧化导致器件性能退化的情况发生，提高了其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 二极 管用 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，其特征在于，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的SiNx帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。
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