[发明专利]半导体装置和用于形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201610497599.3 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106328709A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | J·鲍姆加特尔;C·格鲁贝尔;A·豪格霍费尔;R·K·乔希;M·普埃尔兹;J·施泰因布伦纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括布置在半导体基板上的半导体层状结构。半导体层状结构包括场效应晶体管结构的第一掺杂区域和场效应晶体管结构的本体区域的至少一部分。本体区域具有第一导电性类型，且第一掺杂区域具有第二导电性类型。半导体装置包括导电接触结构，所述导电接触结构在半导体层状结构的至少一个侧壁处提供到场效应晶体管结构的第一掺杂区域的和到场效应晶体管结构的本体区域的电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置(100、200、300)，包括：布置在半导体基板(102)上的半导体层状结构(101)，其中，所述半导体层状结构(101)包括场效应晶体管结构的第一掺杂区域(103)和场效应晶体管结构的本体区域(104)的至少一部分，其中，本体区域(104)具有第一导电性类型，其中，第一掺杂区域(103)具有第二导电性类型；和导电接触结构(105)，其在所述半导体层状结构(101)的至少一个侧壁处提供到场效应晶体管结构的第一掺杂区域(103)的和到场效应晶体管结构的本体区域(104)的电接触。
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