[发明专利]N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610497719.X | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106158943A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张林;谷文萍;胡笑钏;高恬溪 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极，第二P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极和第一P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 静电感应 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N沟碳化硅静电感应晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极(9)、P型SiC衬底(1)、N型SiC缓冲层(2)、N型SiC漂移层(3)和N型SiC电流增强层(4)，所述N型SiC电流增强层(4)上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层(5)，N型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有N型欧姆接触电极(7)，N型欧姆接触电极(7)的形状与N型SiC欧姆接触层(5)相同，所述沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区(6)，P型SiC欧姆接触区(6)与所述台阶侧面、沟槽的底部和N型SiC欧姆接触层(5)均接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区(6)的上部设置有第一P型欧姆接触电极(8)，所述第二P型欧姆接触电极(9)、N型欧姆接触电极(7)和第一P型欧姆接触电极(8)均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长安大学，未经长安大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610497719.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带状破茬碎土免耕播种机
- 下一篇：一种含铌Ti3Al合金铸锭的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
