[发明专利]一种离子注入层图形线宽尺寸的形成方法

摘要

本发明提供一种离子注入层图形线宽尺寸的形成方法，其通过确定光刻胶硬化本身对光刻图形线宽的影响以及不同离子注入对硬化后光刻图形线宽的影响，并根据确定光刻胶硬化及不同离子注入对光刻图形线宽的影响确定针对性的补偿值，进而对光刻图形线宽关键尺寸进行补偿。因此，本发明的形成方法在离子注入工艺中具有受到离子注入损伤小和线宽尺寸变化小的优点，改善了漏电效应。

主权项

1.一种离子注入层图形线宽尺寸的形成方法，其特征在于，包括步骤S1、步骤S2和步骤S3；所述步骤S1具体包括如下步骤：步骤S11：制作一掩模版，所述掩模版上含有一系列不同空间间距的线宽图案；其中，所述的不同空间间距的线宽图案具有N个关键尺寸；其中，N为正整数；步骤S12：通过涂胶显影机在晶圆上涂布光刻胶，然后将所述晶圆在曝光机台进行曝光和在涂胶显影机进行显影，以使所述掩模版上的含有不同空间间距图案转移到所述晶圆上；步骤S13：量取所述不同空间间距的线宽图案显影后的关键尺寸A1、A2、…An；步骤S14：将所述晶圆送入蚀刻机台进行光刻胶硬化处理；所述光刻胶硬化处理是解离溴化氢释放真空紫外光子，在所述光刻胶表面形成固化层，以增加光刻胶抗离子注入损伤的能力；步骤S15：量取所述不同空间间距线宽图案蚀刻硬化后的关键尺寸EA1、EA2、…EAn，通过比较所述不同空间间距的线宽图案的显影后的关键尺寸和所述不同空间间距线宽图案蚀刻硬化后的关键尺寸的量测值，得出所述不同空间间距图案尺寸的第一补偿值α1、α2、…αn；步骤S16：将所述晶圆送入离子注入机台分别进行M次不同离子的注入；其中，M为正整数；步骤S17：量取所述不同空间间距线宽图案离子注入后的M组关键尺寸IA1、IA2、…IAn，IB1、IB2、…IBn，IM1、IM2、…IMn；步骤S18：将上述M组关键尺寸分别与所述不同空间间距线宽图案蚀刻硬化后的关键尺寸的量测值进行比较，得出所述不同空间间距图案尺寸M组第二补偿值1β1、1β2、…1βn，2β1、2β2、…2βn，Mβ1、Mβ2、…Mβn；步骤S2：根据实际工艺需求确定N和M，进行不同注入层离子注入条件的调整，计算上述不同空间间距线宽图案的第一补偿值和第二补偿值，并根据所述第一补偿值和第二补偿值得到最终线宽补偿值α+1β+…Mβ；其中，上述最终线宽补偿值是所述不同空间间距线宽图案离子注入后的关键尺寸和显影后的关键尺寸的差值；步骤S3：根据所述最终线宽补偿值对所述掩模版上含有的所述不同空间间距的线宽图案具有N个关键尺寸进行修正。