[发明专利]基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器在审
申请号: | 201610498641.3 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106024825A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 张希娟;张思易 | 申请(专利权)人: | 上海君万微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20;G09F9/33 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 吴静安;赵超 |
地址: | 200000 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器,包括基底和设置在基底上呈阵列排布的多个μLED单元,每个μLED单元包括由近及远依次设置在基底上的N型层、发射层和P型层,呈阵列排布的相邻μLED单元之间设有离子隔离栅;所述离子隔离栅的深度到达N型层底端。本发明提供的基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器通过离子隔离栅将各个μLED单元隔离,不会导致μLED阵列中相邻像素之间的相互干扰而产生串扰现象,进而可提高氮化物μLED阵列微型显示器的对比度和分辨率,还能实现更少的表面损伤和更高的收益。 | ||
搜索关键词: | 基于 氮化物 led 阵列 间隙 显示器 | ||
【主权项】:
一种基于氮化物LED阵列的无间隙微显示器,包括基底和设置在基底上呈阵列排布的多个μLED单元,每个μLED单元包括由近及远依次设置在基底上的N型层、发射层和P型层,其特征在于:呈阵列排布的相邻μLED单元之间设有离子隔离栅;所述离子隔离栅的深度到达N型层底端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的