[发明专利]一种新型三维微波多芯片组件结构有效
| 申请号： | 201610499834.0 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105977235B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵永志;王绍东;王志强 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/552;H01L25/16 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型三维微波多芯片组件结构，涉及微波微电子封装领域。自下而上包括底层硅片、MMIC芯片、顶层硅片、ASIC芯片；底层硅片上腐蚀有芯片安装槽，并在表面电镀第一金属层，MMIC芯片通过导电胶层粘结在芯片安装槽底部，在MMIC芯片的上表面与底层硅片的上表面上依次生长有密封保护层、第二金属层、第一阻焊层，顶层硅片底部与底层硅片的芯片安装槽对应位置腐蚀有底部凹槽，底层硅片和顶层硅片对应位置均刻蚀有焊球凸点电极，顶层硅片的第三阻焊层刻蚀有金属电极，ASIC芯片焊接在顶层硅片的金属电极上。通过采用硅腔结构和苯并环丁烯二次布线，以圆片级方式完成三维微波多芯片组件的工艺生产，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 三维 微波 芯片 组件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种新型三维微波多芯片组件结构，其特征在于：自下而上包括底层硅片(1)、MMIC芯片(2)、顶层硅片(4)、ASIC芯片(6)；所述底层硅片(1)上腐蚀有芯片安装槽，并在表面电镀第一金属层(11)，MMIC芯片(2)通过导电胶层(10)粘结在芯片安装槽底部，且MMIC芯片(2)的上表面与底层硅片(1)的上表面在同一平面，在MMIC芯片(2)的上表面与底层硅片(1)的上表面上依次生长有密封保护层(9)、第二金属层(8)、第一阻焊层(7)，所述顶层硅片(4)底部与底层硅片(1)的芯片安装槽对应位置腐蚀有底部凹槽(16)，所述顶层硅片(4)下表面依次生长有第三金属层(12)、第二阻焊层(13)；顶层硅片(4)上表面依次生长有第四金属层(14)、第三阻焊层(15)；所述顶层硅片(4)内刻蚀有连通第四金属层(14)和第三金属层(12)的硅通孔(5)，所述底层硅片(1)和顶层硅片(4)对应位置均刻蚀有焊球凸点电极(3)，并通过焊料将底层硅片(1)和顶层硅片(4)对应位置的焊球凸点电极(3)焊接连接；所述顶层硅片(4)和所述焊球凸点电极(3)围成能够对所述MMIC芯片(2)进行单独电磁屏蔽的微腔，所述顶层硅片(4)的第三阻焊层(15)刻蚀有金属电极(17)，ASIC芯片(6)焊接在顶层硅片(4)的金属电极(17)上。
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