[发明专利]一种磁敏器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610500127.9 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105957960A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 孟昭晖 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁敏器件及其制备方法，涉及光电子器件技术领域，为解决现有的磁敏器件制备过程困难，以及所制备的磁敏器件在形状和尺寸上均受到限制，适用范围较小的问题。所述磁敏器件包括：基材和设置在基材上的有机半导体结构，有机半导体结构包括层叠的空穴传输层、多层量子阱结构和电子传输层，多层量子阱结构设置于空穴传输层和电子传输层之间。本发明提供的磁敏器件用于测量磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁敏器件，包括基材，其特征在于，所述磁敏器件还包括设置在所述基材上的有机半导体结构，所述有机半导体结构包括层叠的空穴传输层、多层量子阱结构和电子传输层，所述多层量子阱结构设置于所述空穴传输层和所述电子传输层之间。
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