[发明专利]一种发光二级管的外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610500604.1 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105914276B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 展望;马后永;琚晶;游正璋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周乃鑫;苗绘 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二级管的外延结构，该外延结构生长在衬底上，该外延结构由靠近衬底一端起依次包含：低温成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN层、发光层和P型GaN层；所述N型GaN层为V/III比率周期性交替变化生长结构，V/III比率为V族元素/III族元素的比率。本发明通过在生长N型GaN层的过程中其V/III比周期性变化，实现改善N型GaN层的结晶质量，LED的反向电压得到明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 二级 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二级管的外延结构，其特征在于，该外延结构生长在衬底上，该外延结构由靠近衬底一端起依次包含：低温成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN层、发光层和P型GaN层；所述N型GaN层为V/III比率周期性交替变化生长结构，V/III比率为V族元素/III族元素的比率；V/III比率周期性交替变化周期大于等于1，变化方式为：高低、低高交替变化，或者低高、高低交替变化，或一直低高变化，或一直高低变化，或从低到高再从高到低，或从高到低再从低到高变化。
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