[发明专利]一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器及制备方法有效
| 申请号： | 201610500658.8 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105957963B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘儒平;王慰 | 申请（专利权）人： | 北京印刷学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京高文律师事务所 11359 | 代理人： | 徐江华 |
| 地址： | 102600 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器，其特征在于，包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层；所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层，该阵列层垂直生长于丝印下电极层表面，结合牢度大。然后与丝印金属上电极层进行封装。所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成。本发明提供一种能够用于可穿戴设备的柔性纳米线阵列忆阻器，在外加电场作用下，其电阻发生改变。该纳米线阵列忆阻器可以用作一种存储器件，且便于插取，该柔性薄膜忆阻器的制造方法简单，成本低，具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pet 薄膜 模拟 纳米 阵列 忆阻器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器，其特征在于，包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层；所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层；所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成；所述金属‑有机络合物纳米线阵列层为垂直生长于丝印金属下电极层表面的Ag‑TCNQ纳米线阵列层或Cu‑TCNQ纳米线阵列层；所述纳米线阵列层的直径为70nm‑250nm，长度为700nm‑4μm。
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